| 项目名称 | 双面模块封装工艺服务 | 项目编号 | XF-WSBX-****** |
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| 公示开始日期 | 2025-09-28 10:54:11 | 公示截止日期 | 2025-10-05 12:00:00 |
| 采购单位 | ******大学 | 付款方式 | 货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | |
| 预算 | ￥ 400,000 | ||
| 供应商资质要求 |
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
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| 收货地址 | |||
采购清单1
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| 多芯片与基板烧结委托加工 | 否 | 50 | 个 | 其他服务 |
| 品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 2,600 | ||
| 技术参数 | 详细技术要求： 外形尺寸： 烧结后基板的整体翘曲量 < 20 μm。 机械性能： 芯片与基板之间的剪切强度 > 130 MPa。 工艺窗口： 烧结温度 < 180℃ 烧结压力 < 5 MPa 烧结时间 < 5 分钟 外观与洁净度： 烧结后基板表面无可见氧化现象，无有机物残留。 界面微观性能： 烧结层孔隙率 < 5% 界面烧结材料的导热系数 > 300 W/(m·K) |
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| 售后服务 | 质保期:1年; | ||
采购清单2
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| 烧结芯片基板组件与Mo载体烧结 | 否 | 50 | 个 | 其他服务 |
| 品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 2,600 | ||
| 技术参数 | 详细技术要求： 外形尺寸： 最终完成的烧结芯片基板组件（即芯片-基板-钼载体三层结构）整体翘曲量 < 20 μm。 机械性能： 芯片顶层的焊盘（如源极焊盘）与钼载体之间的剪切强度 > 110 MPa。 工艺窗口： 烧结温度 < 180℃ 烧结压力 < 5 MPa 烧结时间 < 5 分钟 外观与洁净度： 烧结后组件无可见氧化，无有机物残留。 界面微观性能： 芯片与基板之间的烧结层孔隙率 < 5%（此条要求可能针对的是第一道烧结工序的界面，需明确；若指本次烧结界面，则应修改为“与钼载体的烧结界面”）。 界面烧结材料的导热系数 > 300 W/(m·K) |
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| 售后服务 | 质保期:1年; | ||
采购清单3
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| 双面烧结组件与散热器直冷烧结 | 否 | 50 | 个 | 其他服务 |
| 品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 400 | ||
| 技术参数 | 详细技术要求： 工艺窗口： 烧结压力 < 3 MPa 烧结温度 < 180℃ 烧结时间 < 10 分钟 界面性能： 界面剪切强度 > 90 MPa 界面导热系数 > 250 W/(m·K) 界面烧结层有机物残留率 < 0.5% 结构可靠性： 烧结后，组件中的陶瓷基板（如DBC）的陶瓷层（如Al2O3或AlN）无断裂。 陶瓷层断裂失效率 < 2%。 组件整体翘曲度 < 0.1 mm。 |
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| 售后服务 | 质保期:1年; | ||
采购清单4
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| 双面烧结组件与散热器塑封 | 否 | 50 | 个 | 其他服务 |
| 品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 2,000 | ||
| 技术参数 | 详细技术要求： 封装完整性：塑封体填充饱满，无可见气孔、裂纹或缺胶等缺陷，确保完全覆盖芯片、键合线及敏感区域。 界面粘结强度：塑封材料与芯片表面、基板、散热器之间的剥离强度须满足AQG 324标准中的相关要求，确保初始粘结力达标。 高低温循环可靠性：组件必须通过基于AQG 324标准的严格测试。具体需进行-40℃ 至 +175℃的被动温度循环或主动功率循环测试，累计1000小时后，通过超声波扫描显微镜（SAT）检测，塑封界面（如塑封料/芯片、塑封料/基板、塑封料/散热器）均无任何分层现象。 长期耐久性与电性能稳定性：在可靠性测试后，组件除界面无分层层外，还需满足以下要求： 电性能：关键电气参数（如门极漏电流、绝缘耐压等）衰减幅度不得超过初始值的10%。 结构完整性：塑封体本身不得出现开裂、粉化等失效迹象。 |
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| 售后服务 | 质保期:1年; | ||
采购清单5
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| 粗铜线键合 | 否 | 50 | 件 | 其他服务 |
| 品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | |||
| 预算 | ￥ 400 | ||
| 技术参数 | 详细技术要求： 键合材料： 使用直径10 mil（约250 μm）的粗铜键合线，连接SiC MOSFET门极焊盘与基板上的相应焊盘。 键合强度： 单根铜线的键合点剪切强度 > 10 MPa。 键合形貌： 键合线弧高的控制偏差为 ±0.1 mm。 工艺良率： 芯片打线（键合）过程的失效率（如断线、虚焊等） < 1%。 因打线工艺导致的芯片损伤（如裂纹、崩角）失效率 < 1%。 |
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| 售后服务 | 质保期:1年; | ||
******大学
2025-09-28 10:54:11
